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  • HCA-S-200M系列200MHz 光电探测器

  • HCA-S-200M系列光电接收器将快速光电二极管与久经考验的FEMTO HCA电流放大器技术相结合。HCA-S-200M可提供硅或InGaAs光电二极管,分别覆盖320至1000 nm和900至1700 nm的光谱范围。对于InGaAs模型,电放大器增益为2 x 10 4 V / A,在1550 nm处的大转换增益为1.9 x 10 4 V / W. 先进的直流耦合多级放大器设计允许从直流到200 MHz的大带宽进行测量,zui小上升时间为1.8 ns。利用低至5 pW /√Hz的噪声等效功率(NEP),可以检测具有微瓦范围内的光功率的信号,而无需进一步平均。
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HCA-S-200M系列200MHz 光电探测器


产品概况


直流至200 MHz 高速固定增益

HCA-S-200M系列光接收器将快速光电二极管与成熟可靠的FEMTO HCA电流放大器技术相结合。HCA-S-200M可提供硅或InGaAs光电二极管,分别覆盖320至1000 nm和900至1700 nm的光谱范围。电放大器增益为2 x 10 4 V / A,因此对于InGaAs模型,在1550 nm处的大转换增益为1.9 x 10 4 V / W。先进的直流耦合多级放大器设计允许从直流到200 MHz的大带宽进行测量,对应于1.8 ns的小上升时间。利用低至5 pW /√Hz的噪声等效功率(NEP),可以检测到光功率在微瓦范围内的信号,而无需进一步平均。

规格参数


Model

HCA-S-200M-SI

HCA-S-200M-IN

Photodiode

0.8 mm ? Si PIN

0.3 mm ? InGaAs PIN

Spectral Range

320 ... 1000 nm

900 ... 1700 nm

Bandwidth (-3 dB)

DC ... 200 MHz

DC ... 200 MHz

Rise/Fall Time (10% - 90%)

1.8 ns

1.8 ns

Transimpedance Gain

2 x 104 V/A

2 x 104 V/A

Max. Conversion Gain

1.1 x 10V/W (@ 800 nm)

1.9 x 10V/W (@ 1550 nm)

Min NEP (@ 10 MHz)

10 pW/√Hz (@ 800 nm)

5.2 pW/√Hz (@ 1550 nm)

Available Input Options

Free space (FS), FC or SMA

Free space (FS) or FC

Datasheet

303 kB

258 kB

应用领域


光谱学

快速脉冲和瞬态测量

光学触发

示波器,A / D转换器和RF锁定放大器的光学前端

直流至200 MHz 高速固定增益

HCA-S-200M系列光接收器将快速光电二极管与成熟可靠的FEMTO HCA电流放大器技术相结合。HCA-S-200M可提供硅或InGaAs光电二极管,分别覆盖320至1000 nm和900至1700 nm的光谱范围。电放大器增益为2 x 10 4 V / A,因此对于InGaAs模型,在1550 nm处的zui大转换增益为1.9 x 10 4 V / W。先进的直流耦合多级放大器设计允许从直流到200 MHz的zui大带宽进行测量,对应于1.8 ns的zui小上升时间。利用低至5 pW /√Hz的噪声等效功率(NEP),可以检测到光功率在微瓦范围内的信号,而无需进一步平均。

Model

HCA-S-200M-SI

HCA-S-200M-IN

Photodiode

0.8 mm ? Si PIN

0.3 mm ? InGaAs PIN

Spectral Range

320 ... 1000 nm

900 ... 1700 nm

Bandwidth (-3 dB)

DC ... 200 MHz

DC ... 200 MHz

Rise/Fall Time (10% - 90%)

1.8 ns

1.8 ns

Transimpedance Gain

2 x 104 V/A

2 x 104 V/A

Max. Conversion Gain

1.1 x 10V/W (@ 800 nm)

1.9 x 10V/W (@ 1550 nm)

Min NEP (@ 10 MHz)

10 pW/√Hz (@ 800 nm)

5.2 pW/√Hz (@ 1550 nm)

Available Input Options

Free space (FS), FC or SMA

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